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商品名稱：帶放大器的光電二極管陣列S13886-128G
商品型號(hào)：S13886-128G
品牌：濱松光子
封裝規(guī)格：
商品類別：
二級(jí)分類：濱松帶放大器的硅（Si）光電二極管陣列
商品批號(hào)：
貨期：4個(gè)月
商品編號(hào)：
商品重量：0.1kg
庫存數(shù)量：1000 個(gè)
單價(jià)：
帶信號(hào)處理IC的光電二極管陣列，用于X射線檢測
S13886-128G是帶有放大器的光電二極管陣列系列，放大器具有附著到光敏區(qū)域的熒光片以進(jìn)行X射線檢測。 與以前的產(chǎn)品S11865系列相比，信號(hào)處理IC芯片的改進(jìn)大幅度地提高了產(chǎn)品的靈敏度。 信號(hào)處理IC芯片由CMOS工藝構(gòu)成，內(nèi)含定時(shí)發(fā)生器，移位寄存器，電荷放大器陣列，鉗位電路和保持電路等復(fù)雜設(shè)置，所以在連接外部電路時(shí)十分簡單方便。 該產(chǎn)品還可以通過在一行中排列多個(gè)陣列來配置長而窄的圖像傳感器。
產(chǎn)品特性
● 數(shù)據(jù)速率：1 MHz max.
● 元件間距：0.8 mm pitch×128 ch
● 3.3 V電源供電
● 用電荷放大陣列同步積分
● 零偏置光電二極管操作，暗電流低
● 集成鉗位電路，噪聲低，動(dòng)態(tài)范圍寬
● 集成定時(shí)發(fā)生器可以在兩個(gè)不同的脈沖定時(shí)下工作
● 可檢測的能量范圍：30 k至100 keV
| 圖像尺寸 | 102.4 x 0.8 mm |
| 有效像素?cái)?shù) | 128 pixels |
| 像素大小 | 0.7 x 0.8 mm |
| 像素間距 | 0.4 mm |
| 閃爍體類型 | Phosphor sheet |
| 峰值靈敏度波長 | 720 nm |
| 線率（最大值） | 7568 lines/s |
| 注意 | for X-ray, High sensitivity type |
| 測量條件 | Typ. Ta=25 ℃, unless otherwise noted |
![350[]NA2U30ZB4YC(T5L@HL.png](/uploads/ueditor/20210901/5-210Z1102600517.png "350[]NA2U30ZB4YC(T5L@HL.png")
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￥10000.0000 詢價(jià) |
庫存數(shù)量：1000 個(gè) 整包裝： 貨期：2.5個(gè)月 |
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庫存數(shù)量：1000 個(gè) 整包裝： 貨期：2.5個(gè)月 |
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濱松硅（Si）雪崩光電二極管 濱松 硅雪崩光電二極管 APD S15415-05 高速緊湊型 無需溫度調(diào)節(jié) 封裝：COB 品牌：濱松光子 |
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￥10000.0000 詢價(jià) |
庫存數(shù)量：1000 個(gè) 整包裝： 貨期：2.5個(gè)月 |
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濱松硅（Si）雪崩光電二極管 濱松 硅雪崩光電二極管 APD S15415-02 高速緊湊型 無需溫度調(diào)節(jié) 封裝：COB 品牌：濱松光子 |
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￥10000.0000 詢價(jià) |
庫存數(shù)量：1000 個(gè) 整包裝： 貨期：2.5個(gè)月 |
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￥10000.0000 詢價(jià) |
庫存數(shù)量：1000 個(gè) 整包裝： 貨期：2.5個(gè)月 |
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濱松硅（Si）雪崩光電二極管 濱松 硅雪崩光電二極管 APD S15414-02 高速緊湊型 無需溫度調(diào)節(jié) 封裝：COB 品牌：濱松光子 |
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￥10000.0000 詢價(jià) |
庫存數(shù)量：1000 個(gè) 整包裝： 貨期：2.5個(gè)月 |
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濱松硅（Si）雪崩光電二極管 濱松 硅雪崩光電二極管 APD S15413-02 高速緊湊型 無需溫度調(diào)節(jié) 封裝：COB 品牌：濱松光子 |
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￥10000.0000 詢價(jià) |
庫存數(shù)量：1000 個(gè) 整包裝： 貨期：2.5個(gè)月 |
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濱松硅（Si）光電二極管 濱松 硅光電二極管 S16014-220 單色光 (220 nm) 檢測 配帶通濾波器 封裝：TO-18 品牌：濱松光子 |
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￥10000.0000 詢價(jià) |
庫存數(shù)量：1000 個(gè) 整包裝： 貨期：2.5個(gè)月 |
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