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晶體管 MOSFET/安森美半導(dǎo)體/Vishay 威世半導(dǎo)體 MOSFET 場效應(yīng)晶體管 P溝道 SI3437DV-T1-GE3

商品名稱：Vishay 威世半導(dǎo)體 MOSFET 場效應(yīng)晶體管 P溝道 SI3437DV-T1-GE3

商品型號：SI3437DV-T1-GE3

數(shù)據(jù)手冊：

品牌：安森美半導(dǎo)體

封裝規(guī)格：TSOP-6

商品類別：

二級分類：晶體管 MOSFET

商品批號：17+

貨期：現(xiàn)貨

商品編號：

商品重量：0.001kg

庫存數(shù)量：10250 個

單價：￥ 10000.0000 詢價

訂購量：

產(chǎn)品詳情
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產(chǎn)品描述：

Vishay 威世半導(dǎo)體 MOSFET 場效應(yīng)晶體管 P溝道 SI3437DV-T1-GE3 -150V Vds 20V Vgs TSOP-6

產(chǎn)品參數(shù)：

制造商:	Vishay
產(chǎn)品種類:	MOSFET
技術(shù):	Si
安裝風(fēng)格:	SMD/SMT
封裝 / 箱體:	TSOP-6
晶體管極性:	P-Channel
通道數(shù)量:	1 Channel
Vds-漏源極擊穿電壓:	150 V
Id-連續(xù)漏極電流:	1.4 A
Rds On-漏源導(dǎo)通電阻:	750 mOhms
Vgs - 柵極-源極電壓:	- 20 V, + 20 V
Vgs th-柵源極閾值電壓:	4 V
Qg-柵極電荷:	8 nC
最小工作溫度:	- 55 C
最大工作溫度:	+ 150 C
Pd-功率耗散:	3.2 W
通道模式:	Enhancement
商標(biāo)名:	TrenchFET
封裝:	Reel
封裝:	Cut Tape
商標(biāo):	Vishay Semiconductors
配置:	Single
下降時間:	14 ns
高度:	1.1 mm
長度:	3.05 mm
產(chǎn)品類型:	MOSFET
上升時間:	29 ns
系列:	SI3
工廠包裝數(shù)量	3000
子類別:	MOSFETs
晶體管類型:	1 P-Channel
典型關(guān)閉延遲時間:	28 ns
典型接通延遲時間:	14 ns
寬度:	1.65 mm
零件號別名:	SI3437DV-T1-BE3 SI3437DV-GE3
單位重量:	20 mg

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