頂點資訊2021年11月10日消息，II‐VI Incorporated（II-VI高意）在今天宣布，與東莞天域半導(dǎo)體科技有限公司達成戰(zhàn)略合作，為其供應(yīng)150nm SiC基板。
天域半導(dǎo)體表示，通過與II-VI高意合作，將確保供應(yīng)鏈更加多樣化，未來200nm半導(dǎo)體產(chǎn)品的質(zhì)量會有可靠的保證。SiC基片對于智能電網(wǎng)、數(shù)據(jù)網(wǎng)絡(luò)電源、可再生能源、電動汽車和微電網(wǎng)至關(guān)重要，此次合作將為這些行業(yè)對于SiC電力電子的需求提供強有力的保障。
擁有眾多“中國首家”的天域半導(dǎo)體
天域半導(dǎo)體是我國大陸首家從事第三代半導(dǎo)體碳化硅外延片研發(fā)、生產(chǎn)和銷售的高新技術(shù)企業(yè)，是中國首家獲得汽車質(zhì)量認(rèn)證（IATF 16949）的SiC半導(dǎo)體材料供應(yīng)商，是目前中國擁有碳化硅外延爐-CVD最多的半導(dǎo)體企業(yè)，產(chǎn)能達到5000件/月。今年7月，天域半導(dǎo)體還獲得了華為的哈勃投資。
早在2010年，天域半導(dǎo)體就與中國科學(xué)院半導(dǎo)體研究所合作，成立了SiC研究所，提供MOSFET、 IGBT、GTO、JFET、BJT、n-型/p-型摻雜外延材料和制作肖特基二極管。
II-VI高意加快在中國擴產(chǎn)的步伐
為滿足全球最大的清潔能源和電動汽車（EV）市場的巨大需求，II-VI高意明顯加快了在中國擴產(chǎn)的步伐。
今年4月中旬，II-VI在位于福州的總部成立了一個后端加工生產(chǎn)線，所有的生產(chǎn)環(huán)節(jié)都在100級和1000級的潔凈室中進行。該生產(chǎn)線主要進行后端SiC晶圓加工，包括化學(xué)機械拋光、邊緣研磨、清洗和檢測，生產(chǎn)的產(chǎn)品主要用于SiC導(dǎo)電襯底。
該生產(chǎn)線僅僅是II-VI擴產(chǎn)計劃中的一部分。按照計劃，II-VI將在未來5年把SiC基板的產(chǎn)能擴大5-10倍，其中包括200nm SiC基板。
4月下旬，II-VI最大的研發(fā)和技術(shù)中心---上海研發(fā)中心建成，擁有員工近600名。
8月底，II-VI聯(lián)合福州政府，啟動128個億元級別重點技改項目，其中包括II-VI高意碳化硅襯底片項目。
目前，在中國福州、廣州、上海、深圳、蘇州和無錫等城市，II-VI已經(jīng)建成了一大批生產(chǎn)基地和研發(fā)中心。
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