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英特爾研發(fā)3D堆疊芯片 希望能讓芯片性能更上一層

       近日,英特爾對外公布了許多新技術(shù),其中就涉及到了一款關(guān)于芯片尺寸研究的技術(shù)。

 

       目前,市面上的芯片大多數(shù)都是在一個(gè)小平面當(dāng)中進(jìn)行橫向整合,希望能在一塊特定的面積里平鋪更多的晶體管,但實(shí)際上這樣平鋪使用的面積是十分有限的。

 

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       而英特爾這次所提出的技術(shù),就是不單單是從橫向進(jìn)行整合,還通過縱向。用他們自己所形容的話來說,這就是一個(gè)3d堆疊的芯片,盡最大數(shù)量在固定面積構(gòu)建一塊芯片。

 

       不過英特爾也表示,該技術(shù)還在研究階段,也在解決在試驗(yàn)階段所碰到的問題,但如果一旦解決這將會是半導(dǎo)體芯片的未來。

 

       英特爾一直被臺積電和三星在半導(dǎo)體的開發(fā)上壓一頭,作為早期的半導(dǎo)體公司之一,英特爾肯定也想獲得更多屬于自己的市場。

 

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       在芯片尺寸越來越小且制作難度越來越高的未來,多樣化的晶體管堆疊或許能打開半導(dǎo)體新的大門。