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頂點(diǎn)商城2022年1月20日消息，最近，國際EUV光刻機(jī)巨頭阿斯麥（ASML）公布2022年第一季度的財(cái)報(bào)預(yù)測，預(yù)計(jì)第一季度將實(shí)現(xiàn)營收33-35億歐元，預(yù)計(jì)2022年全年的營收將在2021年的基礎(chǔ)上增加20%左右。
根據(jù)相關(guān)數(shù)據(jù)統(tǒng)計(jì)，從2020年的第三季度到2021年的第二季度，ASML在這四個(gè)季度內(nèi)，一共向市場供應(yīng)了四十臺(tái)EUV光刻機(jī)，出貨量環(huán)比增加了66%（具體數(shù)據(jù)為24臺(tái)）。
從具體的市場需求來看，用于生產(chǎn)邏輯芯片的5nm-7nm晶圓，4.5萬片的月產(chǎn)能就需要一臺(tái)EUV光刻機(jī)來繪制EUV層。月產(chǎn)能10萬片的16nm以下動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器（DRAM），一層就平均需要1.5到2臺(tái)EUV光刻機(jī)設(shè)備。全球最大的存儲(chǔ)芯片供應(yīng)商---三星，正計(jì)劃將14nm DDR5 DRAM芯片的EUV應(yīng)用層數(shù)從一層增加到五層。韓國的另一家存儲(chǔ)芯片供應(yīng)大廠---SK海力士也準(zhǔn)備增加EUV應(yīng)用層數(shù)。這些因素都將直接拉升EUV光刻機(jī)的需求。
ASML的EUV光刻機(jī)在市場上一直都是奇貨可居的存在。自從2018年，三星首次引入了7nm工藝的EUV光刻機(jī)之后，臺(tái)積電和SK海力士也相繼加入了購買EUV光刻機(jī)的競爭。隨后，美光和英特爾也在計(jì)劃引進(jìn)EUV光刻機(jī)，EUV光刻機(jī)的市場規(guī)模也一路高歌猛進(jìn)。
為了應(yīng)對(duì)市場需求的增加，ASML計(jì)劃將2022年EUV光刻機(jī)的產(chǎn)量增加到55臺(tái)，2023年增加到60臺(tái)。按照這個(gè)產(chǎn)量計(jì)劃，從2021年到2023年，將會(huì)共有250臺(tái)左右的EUV光刻機(jī)投放到市場上，這個(gè)數(shù)量已經(jīng)超過了迄今為止市面上存在的EUV光刻機(jī)數(shù)量總和。
雖然ASML在不斷地增加EUV光刻機(jī)的出貨量，但是對(duì)于市場的需求來說，還遠(yuǎn)遠(yuǎn)不夠。隨著SK海力士和美光加入引進(jìn)EUV光刻機(jī)的隊(duì)伍，競爭已經(jīng)越來越激烈，尤其是臺(tái)積電、三星和英特爾這三家。
英特爾
英特爾在去年宣布重返晶圓代工市場，七月份就推出了先進(jìn)制程技術(shù)藍(lán)圖。根據(jù)藍(lán)圖規(guī)劃，英特爾將會(huì)在未來四年內(nèi)推出5個(gè)新世代芯片制程技術(shù)，同時(shí)將以前的10 nm Enhanced SuperFin更名為Intel 7、7nm正名為Intel 4，等等。按照規(guī)劃，到2025年英特爾就能達(dá)到2nm制程工藝水平，達(dá)到趕超臺(tái)積電的目的。
想要實(shí)現(xiàn)這些藍(lán)圖，第一步就是要爭奪最先進(jìn)的EUV光刻機(jī)。英特爾在本周宣布，已經(jīng)早于臺(tái)積電和三星完成了高NA EUV光刻機(jī)---TWINSCAN EXE:5200的引進(jìn)。TWINSCAN EXE:5200目前還在研發(fā)階段，單臺(tái)設(shè)備的價(jià)格就高達(dá)三億美元。
根據(jù)ASML披露的研發(fā)進(jìn)度，TWINSCAN EXE:5200有望在2024年年底進(jìn)行首批交付，并進(jìn)行驗(yàn)證測試，最快將在2025年投入到晶圓生產(chǎn)中。根據(jù)介紹，TWINSCAN EXE:5200每小時(shí)的晶圓吞吐量超過了220片。
作為美國企業(yè)，英特爾一直能最先獲得ASML最先進(jìn)的光刻機(jī)，四年前就是如此。當(dāng)時(shí)，英特爾最先獲得ASML第一代0.55NA光刻機(jī)EXE:5000。和上一代光刻機(jī)相比，0.55NA的分辨率從13nm提高到了8nm，能夠更快更好的曝光更加復(fù)雜和精細(xì)的集成電路圖案。根據(jù)英特爾公布的先進(jìn)制程技術(shù)藍(lán)圖，EXE:5000將用于3nm制程，EXE:5200則可能會(huì)用于未來的20A或者18A制程。
三星
根據(jù)其他渠道掌握的消息，三星也在緊急搶購高NA EUV光刻機(jī)，甚至ASML的高NA EUV光刻機(jī)不需要經(jīng)過出廠測試，可以裝配完成之后，直接送到三星工廠來進(jìn)行測試。這種交貨方式尚屬業(yè)界首次。
三星表示，其首顆3nm制程GAA工藝芯片相比5nm制程，芯片面積減小了35%，在功耗相同的情況下，性能可以提升30%；在性能相同的情況下，功耗可以降低50%。三星還表示，3nm制程的良率正在穩(wěn)步提升，已經(jīng)快要趕上4nm制程了。三星預(yù)計(jì)在今年推出第一代3nm 3GAE技術(shù)，2023年改良推出全新的3nm 3GAP技術(shù)，到2025年就可以投產(chǎn)2nm 2GAP制程芯片。為了匹配這些先進(jìn)工藝的革新，三星必定會(huì)需要更多的、最新的EUV光刻機(jī)。
根據(jù)公開數(shù)據(jù)統(tǒng)計(jì)，截止到2020年，臺(tái)積電一共采購了差不多40臺(tái)EUV光刻機(jī)，而三星只有18臺(tái)左右，還不到臺(tái)積電的一半。2022年，三星預(yù)計(jì)會(huì)購買差不多18臺(tái)EUV光刻機(jī)，EUV光刻機(jī)的總數(shù)將達(dá)到臺(tái)積電的60%。
臺(tái)積電
前幾天，臺(tái)積電透露其高達(dá)440億美元的資本支出，將主要用于2nm等先進(jìn)制程工藝。這表示臺(tái)積電已經(jīng)在2nm制程工藝方面有了較大的突破，必將更加迫切地要得到高NA的EUV光刻機(jī)，以進(jìn)行2nm制程后續(xù)研發(fā)和試產(chǎn)。據(jù)臺(tái)積電供應(yīng)鏈透露的消息，臺(tái)積電將會(huì)在今年第四季度成立2nm制程試產(chǎn)研發(fā)小組。
臺(tái)積電在其年報(bào)信息上表示，3nm最新EUV光刻機(jī)技術(shù)表現(xiàn)出了非常好的光學(xué)性能，且能夠達(dá)到預(yù)期的良率，減少曝光機(jī)光罩缺陷及制程堆棧誤差，同時(shí)還能降低整體成本。2nm及更先進(jìn)制程EUV光刻機(jī)將著重于改善極紫外光技術(shù)的質(zhì)量與成本。
這表明臺(tái)積電與ASML正在進(jìn)行非常緊密的合作。通過與ASML進(jìn)行合作，不光能夠保證獲得最大數(shù)量的EUV光刻機(jī)支持，還能保證臺(tái)積電相關(guān)設(shè)備的技術(shù)開發(fā)更加領(lǐng)先。這一點(diǎn)是三星和英特爾無法趕超臺(tái)積電的巨大優(yōu)勢。
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