頂點光電子商城2022年3月16日消息，全球NAND閃存生產(chǎn)商在今年的資本支出將達到歷史新高的299億美元，相比去年增幅8%。上一次全球NAND閃存資本支出新高是在2018年，當(dāng)時為278億美元。
2018年全球NAND閃存資本支出增加的原因是，從2017年開始，閃存行業(yè)開始轉(zhuǎn)型為3D NAND。自此以后，NAND閃存行業(yè)的資本支出，每年都超過了200億美元。根據(jù)已掌握的市場數(shù)據(jù)，今年，基本上所有的NAND閃存生產(chǎn)商都在積極擴大資本支出。
從整個半導(dǎo)體行業(yè)來看，今年的資本支出預(yù)計為1904億美元，NAND閃存大概占了16%，排在晶圓代工企業(yè)的資本支出之后。今年，全球晶圓代工廠的資本支出占行業(yè)總支出的41%。
NAND閃存生產(chǎn)商積極擴充產(chǎn)能
最近正在進行產(chǎn)能升級的NAND閃存工廠包括三星的中國西安工廠（第二階段投資），鎧俠在日本巖手縣的Fab 6 (Flash Ventures)和Fab K1，還有三星電子在韓國平澤市的一號產(chǎn)線和二號產(chǎn)線（二號產(chǎn)線還有DRAM生產(chǎn)和代工業(yè)務(wù)）。SK海力士也正在將M15工廠的剩余產(chǎn)能用于生產(chǎn)NAND閃存。
鎧俠日本巖手縣的工廠分布
200層以上閃存產(chǎn)品競爭加劇
預(yù)計從今年年底至2023年，全球NAND閃存主要供應(yīng)商將加緊進入200層以上閃存產(chǎn)品的競爭，這意味著閃存市場將需要更多的晶圓工廠和新生產(chǎn)設(shè)備。
預(yù)計在今年晚些時候，三星和美光將會率先批量生產(chǎn)用于制造200層閃存產(chǎn)品的設(shè)備。除了三星和美光，還有SK海力士是目前176層NAND閃存產(chǎn)品的主要供應(yīng)商。三星在中國西安的晶圓廠將會為其最先進的NAND閃存產(chǎn)品代工。目前，三星在西安擁有兩座晶圓廠（包括再建的），全面投產(chǎn)后，月產(chǎn)能將能達到12萬片。
SK海力士預(yù)計，隨著企業(yè)級存儲應(yīng)用的需求不斷被重視，196層及以上閃存芯片將占據(jù)市場的主要需求。
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