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        頂點(diǎn)光電子商城2022年5月10日消息：Tower半導(dǎo)體是一家獨(dú)立的專門的圓晶鑄造廠，主要服務(wù)于半導(dǎo)體制造商，公司主要在第三方設(shè)計(jì)的基礎(chǔ)上為客戶制造半導(dǎo)體。高塔半導(dǎo)體有限公司成立于1993年，在收購(gòu)了位于以色列米格塔達(dá)樂埃美柯的國(guó)家半導(dǎo)體的150毫米規(guī)格晶片制造廠后成立，公司作為獨(dú)立的圓晶鑄造廠進(jìn)行商業(yè)運(yùn)作。

        今年上半年，高塔半導(dǎo)體和Next Orbit風(fēng)投基金組成的半導(dǎo)體聯(lián)盟ISMC，宣布投資30億美元建設(shè)該國(guó)第一座最大的半導(dǎo)體制造工廠，邏輯制程65nm。

         擴(kuò)展其電源管理平臺(tái)，發(fā)布其最先進(jìn)的第二代65nm BCD，將操作范圍擴(kuò)大到24V，并將RDSON降低20%。該公司還在其180nm BCD平臺(tái)上添加了深溝槽隔離，可將電壓高達(dá)125V的芯片尺寸降低40%。

        隨著客戶需求的持續(xù)增長(zhǎng)，Tower在各大洲的工廠都在全力以赴支持中國(guó)客戶的需求。新版本滿足了對(duì)更高電壓和更高功率IC不斷增長(zhǎng)的需求，進(jìn)一步增強(qiáng)了Tower在功率器件方面的領(lǐng)先市場(chǎng)地位。Tower在SiGe和RF SOI市場(chǎng)已占有想當(dāng)?shù)姆蓊~，同時(shí)，公司最新推出的65nm RF SOI平臺(tái)進(jìn)入大規(guī)模量產(chǎn)階段，進(jìn)一步鞏固在RFSOI市場(chǎng)的領(lǐng)先地位。

        Tower的65納米BCD平臺(tái)以其在功率性能、成本和集成競(jìng)爭(zhēng)力方面的領(lǐng)先優(yōu)勢(shì)而被稱為一流的sub-90納米BCD技術(shù)。

        第二代65nm BCD受益于功率性能和芯片尺寸減少多達(dá)20%，這是由于用于高達(dá)16V的器件的LDMOS RDSON減少以及電壓擴(kuò)展到24V運(yùn)行。

        功率半導(dǎo)體非常依賴成本驅(qū)動(dòng)，集成了存儲(chǔ)模塊的功率集成電路制程在90nm左右，工藝節(jié)點(diǎn)取決于功率IC和存儲(chǔ)部門的集成情況。

        這些進(jìn)步滿足了計(jì)算和消費(fèi)市場(chǎng)對(duì)單片大功率轉(zhuǎn)換器的需求，包括用于CPU和GPU的高功率電壓調(diào)節(jié)器以及充電器、大功率電機(jī)驅(qū)動(dòng)器和功率轉(zhuǎn)換器等應(yīng)用。

        180nm BCD深溝槽隔離方案在單個(gè)IC內(nèi)提供了更好的抗噪性，在升高的電壓下具有靈活性，可以在多個(gè)隔離方案之間進(jìn)行選擇，并將芯片尺寸減少多達(dá)40%。