頂點(diǎn)光電子商城12月30日消息：近日，三星電子發(fā)布，已開發(fā)出業(yè)界首款12納米DDR5 DRAM，并計(jì)劃于2023年進(jìn)行量產(chǎn)。
DDR4和DDR5區(qū)別有：DDR5設(shè)計(jì)最大容量是512g(目前還沒有實(shí)裝的產(chǎn)品，預(yù)計(jì)得到2025年ddr5成熟了才有)，ddr4最大內(nèi)存容量是128g，這是服務(wù)器領(lǐng)域的上限。目前家用最大ddr4內(nèi)存是32g單條，ddr5家用最大也是32g，未來ddr5將出現(xiàn)128g家用的產(chǎn)品。DDR5電源管理芯片PMIC是集成了在內(nèi)存上。也就是內(nèi)存的電壓可能會不一樣，因?yàn)閜mic集成了在電源上，所以發(fā)熱量也會上升，電源管理和溫度管理策略可能也會有不同，隨著ddr5的發(fā)展不同產(chǎn)品的差異也會變大。DDR5支持On-Die-ECC。這個(gè)和一般的支持ECC糾錯(cuò)的內(nèi)存有什么不同呢？簡單理解就是它是個(gè)殘血版的ecc內(nèi)存，只負(fù)責(zé)對顆粒內(nèi)錯(cuò)誤就行糾正，在路上就出錯(cuò)的它沒法管。
DDR5內(nèi)存需要的CPU，主要主板支持DDR5內(nèi)存就行了，目前英特爾12代、13代都支持，銳龍的7000系都支持，對CPU不熟悉的可以查看下面的表，常見的都覆蓋了。
業(yè)界首款采用 12nm 級工藝技術(shù)制造的 16Gb DDR5 DRAM，采用新型高介電常數(shù)材料來增加單元容量，并采用獨(dú)特的設(shè)計(jì)技術(shù)來改善電路板的關(guān)鍵電路特性。這一技術(shù)突破是通過使用一種新的高介電（high-k）材料來增加電池電容，以及改進(jìn)關(guān)鍵電路特性的專利設(shè)計(jì)技術(shù)而實(shí)現(xiàn)的。結(jié)合先進(jìn)的多層極紫外（EUV）光刻技術(shù)，新款DRAM擁有三星最高的DDR5 Die密度（Die density），可使晶圓生產(chǎn)率提高20%。
基于DDR5最新標(biāo)準(zhǔn)，三星12nm級DRAM將解鎖高達(dá)7.2千兆每秒（Gbps）的速度，這意味著一秒鐘內(nèi)處理兩部30GB的超高清（UHD）電影。
新款DRAM同時(shí)擁有卓越的速度與更高的能效。與上一代三星DRAM產(chǎn)品相比，12nm級DRAM的功耗降低約23%，對于更多追求環(huán)保經(jīng)營的全球IT企業(yè)來說，這將會是值得考慮的優(yōu)選解決方案。
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