頂點(diǎn)光電子商城2月7日消息：近日，宜普公司發(fā)布新品氮化鎵芯片EPC2218。
氮化鎵是由氮元素和鎵元素組成的一種化合物半導(dǎo)體材料。氮化鎵（GaN）、碳化硅（SiC）、氮化鋁（ALN）、氧化鎵（Ga2O3）等，因?yàn)榻麕挾却笥?2.2eV 統(tǒng)稱為寬禁帶半導(dǎo)體材料，在國內(nèi)也稱為第三代半導(dǎo)體材料。
EPC2218尺寸為 3.5 mm x 1.95 mm，是一顆耐壓為 100V，導(dǎo)阻 3.2m Ω 的增強(qiáng)型氮化鎵開關(guān)管。可應(yīng)用在 DC/DC 轉(zhuǎn)換器、無刷直流電機(jī)驅(qū)動器、面向 AC/DC 及 DC/DC 應(yīng)用的同步整流、光學(xué)遙感技術(shù)、脈沖式功率應(yīng)用、負(fù)載點(diǎn)（POL）轉(zhuǎn)換器、D 類音頻放大器、發(fā)光二極管照明等領(lǐng)域上。
另外，EPC2218擁有超快的開關(guān)頻率、超高的效率和更少的占板面積，可以實(shí)現(xiàn)更高功率密度的電源轉(zhuǎn)換。這是源自產(chǎn)品自帶的低傳導(dǎo)及低開關(guān)損、低驅(qū)動功率、零反向恢復(fù)損耗的特性。
隨著成本的下降，GaN有望在中低功率領(lǐng)域替代二極管、IGBT、MOSFET等硅基功率器件。以電壓來分，0-300V是Si材料占據(jù)優(yōu)勢，600V以上是SiC占據(jù)優(yōu)勢，300V-600V之間則是GaN材料的優(yōu)勢領(lǐng)域。根據(jù)Yole統(tǒng)計(jì)，GaN器件可以適用于68%的功率器件市場。
在應(yīng)用領(lǐng)域中領(lǐng)域，半導(dǎo)體照明行業(yè)發(fā)展最為迅速，已形成百億美元的產(chǎn)業(yè)規(guī)模。
在電力電子領(lǐng)域，寬禁帶半導(dǎo)體的應(yīng)用剛剛起步，市場規(guī)模僅為幾億美元。由于GaN材料電子漂移飽和速度高，擊穿場強(qiáng)大，目前硅基GaN功率器件具有高反向關(guān)斷電壓、更高的工作頻率和更低的導(dǎo)通電阻等特性，可使電源做的更小，效率更高，更高的功率密度。
在節(jié)能領(lǐng)域中應(yīng)用最多就是功率器件，絕大多數(shù)電子產(chǎn)品都會使用到一顆或多顆功率器件產(chǎn)品。數(shù)據(jù)顯示，寬禁帶半導(dǎo)體芯片可以消除整流器在進(jìn)行交直流轉(zhuǎn)換時90%的能量損失，還可以使筆記本電源適配器體積縮小80%。在開關(guān)電源、電動汽車、光伏發(fā)電、UPS、數(shù)據(jù)中心、無線充電，芯片處理器等應(yīng)用具有非常好的前景。
在射頻微波領(lǐng)域，GaN熔點(diǎn)在1700℃，頻率目前可達(dá)到25G，功率達(dá)到1800w，在航空航天，微波雷達(dá)，衛(wèi)星通信，5G通信有非常大的優(yōu)勢。
在激光器方面，GaN基激光器可以覆蓋到很寬的頻譜范圍，實(shí)現(xiàn)藍(lán)、綠、紫外激光器和紫外探測的制造。
在探測器方面，GaN基紫外探測器可用于導(dǎo)彈預(yù)警、衛(wèi)星秘密通信、各種環(huán)境監(jiān)測、化學(xué)生物探測等領(lǐng)域，但尚未實(shí)現(xiàn)產(chǎn)業(yè)化。
宜普電源轉(zhuǎn)換公司（EPC）是基于氮化鎵（GaN）功率管理技術(shù)的領(lǐng)導(dǎo)供應(yīng)商，公司不僅僅致力于提高電力效率，更利用氮化鎵技術(shù)推動了五年前不可能實(shí)現(xiàn)的并顯著提升生活的全新應(yīng)用。由于多種應(yīng)用例如從無線電源傳送、全自動汽車以至高速移動通信、低成本衛(wèi)星及醫(yī)療護(hù)理應(yīng)用都不斷蛻變，因此氮化鎵技術(shù)成為勇于革新、持續(xù)前進(jìn)和渴望保持行業(yè)領(lǐng)先地位的公司的首選技術(shù)。
氮化鎵芯片的發(fā)展前景會越來越好，宜普公司的新品EPC2218氮化鎵芯片的發(fā)布，加快了氮化鎵技術(shù)的普及，讓更多的人享受到氮化鎵技術(shù)的好處，助力氮化鎵市場的繁榮發(fā)展。
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