近日，氮化鎵領(lǐng)先廠商晶通半導(dǎo)體（JTM）宣布，已于去年12月完成數(shù)千萬元人民幣天使+輪融資，投資方為半導(dǎo)體專業(yè)投資機(jī)構(gòu)富華資本（GRC）。
氮化鎵是微波功率晶體管的優(yōu)良材料，是研制微電子器件、光電子器件的新型半導(dǎo)體材料，具有寬的直接帶隙、強(qiáng)的原子鍵、高的熱導(dǎo)率、化學(xué)穩(wěn)定性好（幾乎不被任何酸腐蝕）等性質(zhì)和強(qiáng)的抗輻照、抗高溫、抗高壓能力。
晶通半導(dǎo)體是國內(nèi)氮化鎵功率器件與驅(qū)動芯片領(lǐng)先廠商，擁有被行業(yè)專家評價為“使氮化鎵器件的性能大幅接近其理論極限”的技術(shù)，核心技術(shù)團(tuán)隊(duì)具有中國與瑞士的科研背景，并在歐美原廠擁有超過15年全產(chǎn)業(yè)鏈經(jīng)驗(yàn)。
目前，晶通半導(dǎo)體主要面向工業(yè)電源、消費(fèi)電子、車規(guī)級應(yīng)用，擁有包括智能氮化鎵功率開關(guān)、硅基驅(qū)動芯片等多個產(chǎn)品線，合作方覆蓋消費(fèi)類快充企業(yè)、頭部儲能充電企業(yè)、頭部汽車廠商等。
晶通半導(dǎo)體擁有世界頂尖的氮化鎵科研實(shí)力，公司核心技術(shù)成員均有海外理工名校的留學(xué)背景，曾就職于Power Integrations (PI)、英飛凌、德州儀器、意法半導(dǎo)體等世界前沿的氮化鎵廠商，擁有豐富的產(chǎn)業(yè)化經(jīng)驗(yàn)。此外，公司還在氮化鎵領(lǐng)域擁有數(shù)十項(xiàng)核心發(fā)明專利、集成電路布圖設(shè)計專利及實(shí)用新型專利。
在技術(shù)路線上，晶通半導(dǎo)體是當(dāng)前國內(nèi)唯一面向工業(yè)級、車規(guī)級應(yīng)用，采取器件加驅(qū)動進(jìn)行共同優(yōu)化的廠商。相比消費(fèi)電子，工業(yè)級及車規(guī)級應(yīng)用難度更高，更需要采取器件加驅(qū)動共同優(yōu)化方式，以切實(shí)解決氮化鎵應(yīng)用的最大痛點(diǎn)，提高穩(wěn)定性。
目前晶通半導(dǎo)體擁有三個主要產(chǎn)品線，均為基于氮化鎵的功率器件及驅(qū)動芯片。
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