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      頂點(diǎn)光電子商城2月24日消息：近日，英諾賽科推出了多款高性能氮化鎵芯片。

         半橋氮化鎵功率芯片通過將氮化鎵開關(guān)管和驅(qū)動器集成，具有更小的封裝面積，更強(qiáng)的散熱性能和更高的功率密度，能夠滿足48V大功率系統(tǒng)的應(yīng)用，如高性能計算機(jī)，服務(wù)器，太陽能逆變器，電機(jī)驅(qū)動，數(shù)字音頻以及電動汽車應(yīng)用。

         英諾賽科推出的INN100W032A是一顆耐壓100V，導(dǎo)通電阻3.2mΩ的增強(qiáng)型氮化鎵芯片，連續(xù)電流60A，脈沖電流可達(dá)230A，能夠適應(yīng)-40℃到150℃工作環(huán)境，零反向恢復(fù)電荷。采用WLCSP 3.5mmx2.1mm封裝，體積小巧，能夠極大節(jié)省占板面積。INN100W032A在同步整流、Class D功放、高頻DC-DC模塊電源及電機(jī)驅(qū)動等應(yīng)用場景中，能夠有效地提高工作頻率和效率。

INN100W027A是一顆耐壓100V，導(dǎo)通電阻2.7mΩ的增強(qiáng)型氮化鎵芯片，連續(xù)電流64A. 脈沖電流可達(dá)320A，能夠適應(yīng)-40℃到150℃工作環(huán)境，零反向恢復(fù)電荷。采用WLCSP 4.45mmx2.3mm封裝。INN100W027A 是InnoGaN 100V系列導(dǎo)通電阻最小的一顆，非常適合應(yīng)用在高功率密度的模塊電源，也適合在大功率的Class D功放和電機(jī)驅(qū)動等場合。

         英諾賽科是全球領(lǐng)先的氮化鎵芯片研發(fā)與制造的IDM企業(yè)，擁有全球最大規(guī)模的8英寸硅基氮化鎵晶圓廠和先進(jìn)的氮化鎵制程工藝。目前英諾賽科已經(jīng)發(fā)布和銷售多款氮化鎵功率器件，覆蓋30V到700V電壓范圍，產(chǎn)品的各項(xiàng)性能指標(biāo)均達(dá)到國際先進(jìn)水平，已經(jīng)在快充、通信、LED、人工智能、自動駕駛、數(shù)據(jù)中心、儲能等多個新興領(lǐng)域中得到應(yīng)用。