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        近日，在第70屆IEEE國際固態(tài)電路會(huì)議（ISSCC）上，韓國存儲(chǔ)器大廠SK海力士展示了最新300層堆疊第八代3D NAND Flash快閃存儲(chǔ)器原型。

         海力士的這款第八代3D NAND閃存單顆容量為1Tb也就是128GB，最高數(shù)據(jù)吞吐量為194MB/s，與目前的第七代閃存相比提升了18%，除此之外通過引入三重驗(yàn)編程，將延遲降低10%，從而提升閃存的性能，而且更高的存儲(chǔ)密度自然可以大幅降低閃存的制造成本，也可以帶來更大容量的閃存。

       第八代3D NAND Flash采用5項(xiàng)新技術(shù)。預(yù)計(jì)最快2024年問世。

       首先，三重驗(yàn)證程式（TPGM）功能可縮小單元閾值電壓分布，并將tPROG（編程時(shí)間）減少10%，轉(zhuǎn)化成更高性能。

       其次，采用Adaptive Unselected String Pre-Charge(AUSP)技術(shù)，再將tPROG降低約2%。

        第三，APR方案可將讀取時(shí)間降低約2%，并縮短字線上升時(shí)間。

        第四，編程虛擬串（PDS）技術(shù)可藉由降低通道電容負(fù)載縮短tPROG和tR的界線穩(wěn)定時(shí)間。

        最后，平面級(jí)讀取重試（PLRR）功能，允許不終止其他平面下，更改平面的讀取等級(jí)，立即發(fā)出后續(xù)讀取命令，提高服務(wù)質(zhì)量(QoS)，提高讀取性能。