近日，納微半導(dǎo)體宣布推出第五代高速GeneSiC碳化硅(SiC)功率二極管，可有效滿足數(shù)據(jù)中心、工業(yè)電機(jī)驅(qū)動(dòng)、太陽能和消費(fèi)電子等要求嚴(yán)格的應(yīng)用需求。
該款650伏的混合式PIN-肖特基 (MPS?)二極管采用獨(dú)特的PiN-Schottky結(jié)構(gòu)，提供低內(nèi)置電壓偏置（低門檻電壓）以實(shí)現(xiàn)在各種負(fù)載條件下的最高效率和卓越的魯棒性。應(yīng)用領(lǐng)域包括服務(wù)器/電信電源的PFC電路、工業(yè)電機(jī)驅(qū)動(dòng)、太陽能逆變器、LCD/LED電視和照明。
此外，該SiC功率二極管采用表貼封裝（QFN，D2-PAK）和插件（TO-220，TO-247）封裝形式，GExxMPS06x系列MPS二極管覆蓋了從300W到3000W的應(yīng)用范圍，并適用于多種電路。
納微半導(dǎo)體（Navitas Semiconductor）成立于 2014 年，專注于開發(fā)超高效的氮化鎵半導(dǎo)體產(chǎn)品。
氮化鎵功率芯片將氮化鎵電源與驅(qū)動(dòng)、控制和保護(hù)集成在一起，為移動(dòng)設(shè)備、消費(fèi)產(chǎn)品、企業(yè)、電動(dòng)汽車和新能源市場提供充電更快、功率密度更高和節(jié)能效果更好的產(chǎn)品。作為立足于中國本土的、全球領(lǐng)先的氮化鎵功率芯片公司，納微半導(dǎo)體目前已經(jīng)拿下超過200多項(xiàng)專利，超過3000萬個(gè)GaNFast功率芯片已經(jīng)發(fā)貨，沒有任何關(guān)于納微氮化鎵功率芯片的現(xiàn)場故障報(bào)告。
此前，2021年10月20日，納微半導(dǎo)體敲響了納斯達(dá)克的開市鐘，并開始在納斯達(dá)克交易，企業(yè)價(jià)值超過10億美元，總?cè)谫Y額超過3.2億美元。
未來，納微半導(dǎo)體會(huì)不斷進(jìn)步，推出了新的氮化鎵功率芯片，為氮化鎵技術(shù)的發(fā)展翻開新篇章。
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