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           頂點光電子商城7月28日消息：近日，美光科技宣布，已開始送樣其首款8-high 24GB HBM3 Gen2內(nèi)存產(chǎn)品。

           美光HBM3 Gen2內(nèi)存具有 1.2 TB/s 的聚合帶寬和最高容量的 8 高堆棧 24GB的容量（為業(yè)界首款），與其他8高HBM3內(nèi)存相比，容量增加了50%，工藝方面采用了1β (1-beta) 制造工藝制造，每瓦性能提高了2.5倍。

         美光科技有限公司（Micron Technology, Inc.）是高級半導體解決方案的全球領先供應商之一。通過全球化的運營，美光公司制造并向市場推出DRAM、NAND閃存、CMOS圖像傳感器、其它半導體組件以及存儲器模塊，用于前沿計算、消費品、網(wǎng)絡和移動便攜產(chǎn)品。

          此外，美光還在準備12層垂直堆疊的單品36GB DRAM芯片，與現(xiàn)有的競爭解決方案相比，在給定的堆棧高度下，美光提供的容量增加了50%。