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           近日，意法半導(dǎo)體官微宣布，公司最近已開始量產(chǎn)能夠簡(jiǎn)化高效功率轉(zhuǎn)換系統(tǒng)設(shè)計(jì)的增強(qiáng)模式PowerGaN HEMT（高電子遷移率晶體管）器件。

           高電子遷移率晶體管是一種特殊類型的場(chǎng)效應(yīng)晶體管（FET），在射頻（RF）和微波應(yīng)用中具有重要作用。它的特點(diǎn)是能夠提供高速、高頻的性能，并且在低功耗下表現(xiàn)出色。

          HEMT通常由兩個(gè)不同材料的半導(dǎo)體層疊而成，其中一個(gè)層是高遷移率的電子通道，另一個(gè)層則具有較大的帶隙。這種結(jié)構(gòu)有助于提高電子遷移率，從而實(shí)現(xiàn)較高的電流飽和速度。

           據(jù)悉，STPOWER? GaN晶體管是基于氮化鎵(GaN)的高效晶體管，提高了墻插電源適配器、充電器、照明系統(tǒng)、工業(yè)電源、可再生能源發(fā)電、汽車電氣化等應(yīng)用的性能。

           意法半導(dǎo)體的G-HEMT器件將加速功率轉(zhuǎn)換系統(tǒng)向GaN寬帶隙技術(shù)過渡。意法半導(dǎo)體表示，未來(lái)，GaN還有望實(shí)現(xiàn)新的功率轉(zhuǎn)換拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)，進(jìn)一步提高能效，并降低功耗。

           HEMT作為一種特殊類型的晶體管，在射頻和微波領(lǐng)域具有廣泛的應(yīng)用。隨著無(wú)線通信和高頻技術(shù)的不斷發(fā)展，HEMT可能會(huì)繼續(xù)在這些領(lǐng)域發(fā)揮重要作用。

          接下來(lái)，意法半導(dǎo)體還將推出新款PowerGaN產(chǎn)品，即車規(guī)器件，以及更多的功率封裝形式，包括PowerFLAT 8x8 DSC和LFPAK 12x12大功率封裝。