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           頂點(diǎn)光電子商城8月7日消息：近日，瑞森半導(dǎo)體進(jìn)一步壯大和完善超結(jié)（SJ）MOSFET系列，推出600V超結(jié)功率MOSFET---RSF60R070F、RSF60R026W型號(hào)。

           超結(jié)功率MOSFET（Superjunction Power MOSFET）是一種現(xiàn)代的功率場(chǎng)效應(yīng)晶體管（MOSFET），用于高功率應(yīng)用，如電源、變頻器、電機(jī)驅(qū)動(dòng)器和其他需要高效率、高性能功率放大的電子設(shè)備。超結(jié)功率MOSFET的設(shè)計(jì)旨在提供更低的開(kāi)通電阻、更高的開(kāi)通速度和更低的開(kāi)通損耗。

            瑞森半導(dǎo)體新產(chǎn)品RSF60R070F滿足TO-220F/TO-263等封裝外形，常規(guī)產(chǎn)品封裝為T(mén)O-247，整體尺寸節(jié)約50%，做到大電流小封裝。從而大幅減少器件在PCB線路板上占用的空間，助力小型化產(chǎn)品的應(yīng)用。優(yōu)勢(shì)有：其內(nèi)置FRD，適應(yīng)LLC線路，并適合多管應(yīng)用，具有更快的開(kāi)關(guān)速度，更低的導(dǎo)通損耗；極低的柵極電荷（Qg），大大提高系統(tǒng)效率；和優(yōu)異的EMI性能。

            RSF60R070F實(shí)測(cè)耐壓為600V，導(dǎo)通電阻僅為58mΩ，使得MOS管在導(dǎo)通狀態(tài)下實(shí)現(xiàn)更小的功率損耗和更高的效率，同時(shí)成本也隨之下降，為客戶提供低成本設(shè)計(jì)方案。該款產(chǎn)品主要適用于電源、電機(jī)控制、逆變器和其它高壓開(kāi)關(guān)應(yīng)用等。

          超小內(nèi)阻新品RSF60R026W，能做到RDS(ON)典型值20mΩ。優(yōu)勢(shì)有：導(dǎo)通電阻減少了33% ，降低功率損耗，進(jìn)一步提高效率；內(nèi)置FRD，適應(yīng)LLC線路，并適合多管應(yīng)用；100%雪崩測(cè)試；低柵極電荷、低導(dǎo)通電阻；優(yōu)異的EMI性能。

            瑞森半導(dǎo)體（REASUNOS）起步于2007年，是一家專注于功率半導(dǎo)體器件及功率IC的研發(fā)、設(shè)計(jì)、銷(xiāo)售的國(guó)家級(jí)高新技術(shù)企業(yè)， 致力于為全球客戶提供功率半導(dǎo)體整體解決方案。公司產(chǎn)品涵蓋碳化硅MOS、碳化硅二級(jí)管、硅基平面MOS、超級(jí)結(jié)MOS、中低壓MOS、LED驅(qū)動(dòng)IC、電機(jī)驅(qū)動(dòng)IC和系列ESD&TVS靜電保護(hù)器件等，憑借產(chǎn)品可靠性高、參數(shù)一致性好等特點(diǎn)，廣泛應(yīng)用于新能源汽車(chē) 、充電樁、光伏、逆變、儲(chǔ)能、白色家電、工業(yè)控制和消費(fèi)類(lèi)電子等領(lǐng)域。

            公司專注于高質(zhì)、高性能的產(chǎn)品研發(fā)，核心研發(fā)第三代寬禁帶半導(dǎo)體技術(shù)，是國(guó)內(nèi)碳化硅（SiC）產(chǎn)品系列較早實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)并全球銷(xiāo)售的企業(yè)。品質(zhì)、性能對(duì)標(biāo)國(guó)際品牌，成功替代眾多進(jìn)口系列，助力芯片國(guó)產(chǎn)化。在集成芯片領(lǐng)域， 國(guó)內(nèi)首創(chuàng)單級(jí)大功率400W高PF無(wú)頻閃LED驅(qū)動(dòng)IC，是具備較強(qiáng)競(jìng)爭(zhēng)力、自主創(chuàng)新的產(chǎn)品。在功率器件領(lǐng)域，就更高耐壓、更大電流，模塊化等發(fā)展方向以及SiC MOSFET、GaN HEMTs系列持續(xù)投入研發(fā)中。