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         頂點(diǎn)光電子商城2023年10月8日消息：近日，株洲市石峰區(qū)舉行順為科技集團(tuán)IGBT/SiC功率半導(dǎo)體模塊項(xiàng)目簽約儀式。

         順為科技集團(tuán)IGBT/SiC功率半導(dǎo)體模塊項(xiàng)目位于田心高科園，主要生產(chǎn)工業(yè)調(diào)頻、充電樁、儲(chǔ)能逆變、光伏/風(fēng)力發(fā)電用IGBT模塊等。該項(xiàng)目總投資7.5億元，預(yù)計(jì)在今年年底啟動(dòng)建設(shè)，明年上半年正式投產(chǎn)，建成達(dá)產(chǎn)400萬個(gè)IGBT模塊及100萬個(gè)SiC模塊，預(yù)計(jì)年產(chǎn)值8億元。

        IGBT（Insulated Gate Bipolar Transistor）和SiC（Silicon Carbide）功率半導(dǎo)體模塊都是用于功率電子應(yīng)用的關(guān)鍵元件，它們各自具有一些特定的特性和應(yīng)用領(lǐng)域。

         IGBT（絕緣柵雙極晶體管）功率半導(dǎo)體模塊：特性：IGBT是一種晶體管，它結(jié)合了MOSFET和雙極晶體管的特性。它具有高輸入阻抗，可以通過控制電流來控制電壓。IGBT模塊通常操作電壓較低，適用于低到中等功率范圍。應(yīng)用：IGBT模塊常用于電機(jī)控制、逆變器、電動(dòng)汽車驅(qū)動(dòng)器、電磁感應(yīng)加熱等領(lǐng)域。其特點(diǎn)包括可靠性高、成本相對(duì)較低。

          SiC（碳化硅）功率半導(dǎo)體模塊：  特性：碳化硅（SiC）是一種新型的半導(dǎo)體材料，相比傳統(tǒng)的硅半導(dǎo)體具有更高的電子遷移速度和熱導(dǎo)率，使得SiC器件能夠在高溫和高電壓條件下工作。SiC功率模塊具有更高的功率密度、更高的效率和更快的開關(guān)速度。應(yīng)用：SiC功率模塊廣泛用于高性能電力電子應(yīng)用，如電動(dòng)汽車充電器、太陽能逆變器、電力電子轉(zhuǎn)換器等。它們能夠減小體積、提高效率，適用于高頻和高溫環(huán)境。

          總之，IGBT和SiC功率半導(dǎo)體模塊都在不同的應(yīng)用中發(fā)揮著關(guān)鍵作用。