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          頂點光電子商城2024年2月22日消息：近日，SK海力士計劃于3月份開始大規(guī)模量產(chǎn)HBM3E。

          HBM3E是SK海力士旗下第五代高帶寬內(nèi)存產(chǎn)品，這款基于3D堆棧工藝的高性能DRAM產(chǎn)品旨在打破內(nèi)存帶寬及功耗瓶頸，以滿足市場對高性能內(nèi)存不斷增長的需求。

          去年8月，SK海力士宣布成功開發(fā)出HBM3E，并開始向客戶提供樣品進(jìn)行性能驗證。經(jīng)過半導(dǎo)體產(chǎn)品開發(fā)的九個階段后，SK海力士于今年1月中旬正式結(jié)束了HBM3E的開發(fā)工作，并完成了英偉達(dá)歷時半年的性能評估。

          因此，SK海力士計劃在3月份開始大規(guī)模生產(chǎn)HBM3E，并計劃在下個月向英偉達(dá)供應(yīng)首批產(chǎn)品。

           據(jù)報道，這批HBM3E將用于NVIDIA下一代Blackwell系列AI芯片旗艦產(chǎn)品B100上。NVIDIA計劃于2024年第二季度末或第三季度初推出這一系列產(chǎn)品。鑒于NVIDIA在AI GPU市場占據(jù)超過90%的市場份額，而SK海力士在全球HBM市場擁有超過一半的份額，并完全壟斷了128GB DDR5這類大容量DRAM產(chǎn)品市場，雙方的合作被市場普遍看好，預(yù)計將推動AI芯片市場的進(jìn)一步發(fā)展。