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         頂點光電子商城2024年6月19日消息：近日，三星計劃在2027年推出多項先進技術，這些技術包括1.4nm工藝、BSPDN背面供電以及硅光子技術。

         三星預計在2027年實現(xiàn)1.4nm（納米）工藝技術的量產(chǎn)。這一技術節(jié)點代表著半導體制造工藝的進一步微縮，有助于提高芯片的性能和能效。準備工作“進展順利，性能和良率目標均已如期實現(xiàn)”，表明三星在材料和結構創(chuàng)新方面取得了顯著進展，正積極塑造未來低于1.4nm的工藝技術。

            BSPDN（背部供電網(wǎng)絡）技術是一種創(chuàng)新的半導體技術，它將電源軌置于晶圓背面，以消除電源線和信號線之間的瓶頸。這種技術可以顯著提高功率、性能和面積（PPA）效率，并降低電壓降（IR降），從而提高高性能計算（HPC）設計的性能。三星計劃在2027年將BSPDN技術應用于其1.4nm工藝中，這是該公司首次將BSPDN技術應用于如此先進的工藝節(jié)點。

            新增就業(yè)崗位1200個，對地方經(jīng)濟發(fā)展具有積極推動作用。該項目的建成能提升國產(chǎn)化功率器件競爭實力，降低對國外產(chǎn)品的依賴。

            三星還計劃在2027年推出硅光子技術。硅光子技術是一種在芯片上利用光纖傳輸數(shù)據(jù)的技術，相比傳統(tǒng)線纜/電路可以大幅提升I/O數(shù)據(jù)傳輸速度。這是三星首次宣布采用硅光子技術，該技術的引入將進一步增強三星在半導體領域的競爭力。

            此外，三星還計劃在2027年實現(xiàn)第四代2nm芯片的量產(chǎn)，并在2025年量產(chǎn)升級版4nm硅芯片。這些計劃展示了三星在半導體工藝技術方面的持續(xù)投入和領先地位。

           綜上所述，三星在2027年推出的1.4nm工藝、BSPDN背面供電及硅光子技術將進一步提升其半導體產(chǎn)品的性能、能效和數(shù)據(jù)傳輸速度，鞏固其在全球半導體市場的領先地位。