頂點光電子商城2024年7月9日消息：近日，據(jù)Trendforce等機構(gòu)的報道，Hyper-NA EUV光刻機的價格預(yù)計將達到驚人的7.24億美元，甚至可能會更高。這一價格相比目前已有的EUV光刻機（約1.81億美元）和High-NA EUV光刻機（約3.8億美元）有顯著的提升，幾乎是在High-NA EUV光刻機基礎(chǔ)上的翻倍。
Hyper-NA EUV光刻機作為下一代技術(shù)，其研發(fā)成本、制造成本以及技術(shù)復(fù)雜度都遠高于前代產(chǎn)品。這些因素共同導(dǎo)致了其高昂的定價。
面對Hyper-NA EUV光刻機的高昂價格，臺積電、三星和英特爾等芯片制造商都表現(xiàn)出了猶豫不決的態(tài)度。高昂的采購成本讓這些企業(yè)需要重新評估其投資策略和產(chǎn)能規(guī)劃。
為了應(yīng)對高昂的新設(shè)備采購成本，一些企業(yè)選擇通過升級現(xiàn)有設(shè)備、采用多重曝光等技術(shù)手段來延長現(xiàn)有設(shè)備的使用壽命并提升產(chǎn)能。例如，臺積電就計劃通過升級現(xiàn)有EUV光刻機來減輕對新設(shè)備的依賴。
Hyper-NA EUV光刻機具有更高的數(shù)值孔徑（NA），能夠?qū)崿F(xiàn)更高分辨率的圖案化及更小的晶體管特征。這對于推動半導(dǎo)體工藝向更小的制程節(jié)點發(fā)展具有重要意義。
隨著半導(dǎo)體工藝的不斷進步和市場需求的持續(xù)增長，Hyper-NA EUV光刻機在未來幾年內(nèi)有望成為半導(dǎo)體制造領(lǐng)域的核心設(shè)備之一。然而，其高昂的價格和復(fù)雜的制造工藝也將對其市場推廣和普及帶來一定的挑戰(zhàn)。
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