頂點光電子商城2025年3月5日消息：2025年3月5日，杭州鎵仁半導體有限公司官宣發(fā)布全球首顆第四代半導體氧化鎵8英寸單晶。
鎵仁半導體成為全球首家掌握8英寸氧化鎵單晶生長技術(shù)的企業(yè)。8英寸氧化鎵單晶能夠與現(xiàn)有硅基芯片廠的8英寸產(chǎn)線兼容，有助于顯著加快氧化鎵的產(chǎn)業(yè)化應(yīng)用步伐。隨著氧化鎵襯底尺寸的增大，晶圓面積利用率將得到提升，進而降低生產(chǎn)成本、提升生產(chǎn)效率。
氧化鎵（準確地說是β-Ga2O3）具有4.85eV的禁帶寬度，較碳化硅（3.2eV）和氮化鎵（3.39eV）更寬，具備優(yōu)秀的熱和化學穩(wěn)定性。氧化鎵的擊穿電場強度更高，其超高臨界擊穿場強可達8MV/cm，能承受比SiC或GaN器件更高的工作電壓，且導通電阻更低。
基于氧化鎵的功率器件可提供更小的電阻和更高的轉(zhuǎn)換效率，在數(shù)據(jù)中心、軌道交通、光伏逆變器、大功率通信等高壓、大電流場景中能夠顯著提升系統(tǒng)的穩(wěn)定性和效率。氧化鎵制備的功率器件有望將新能源汽車平臺電壓推向1200V，顯著縮短新能源汽車的充電時間，例如從現(xiàn)在快充的30分鐘縮短至7分鐘左右，極大地提升用戶體驗。氧化鎵材料擁有260nm的紫外截止邊，紫外波段的透過率受載流子濃度影響小，適宜制造深紫外波段光電器件。
盡管氧化鎵前景廣闊，但在產(chǎn)業(yè)化進程中仍面臨一些挑戰(zhàn)，其中降低成本是關(guān)鍵問題之一。氧化鎵襯底的制備難度雖低于部分其他第四代半導體材料如金剛石和氮化鋁，但其成本仍有待進一步降低，以提升市場競爭力。
綜上所述，鎵仁半導體發(fā)布的全球首顆第四代半導體氧化鎵8英寸單晶是一項重要的技術(shù)突破，標志著氧化鎵材料在產(chǎn)業(yè)化應(yīng)用方面邁出了重要一步。隨著技術(shù)的不斷進步和成本的進一步降低，氧化鎵有望在多個領(lǐng)域發(fā)揮重要作用。
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