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        新冠疫情的突然出現(xiàn)，促進(jìn)了日常生活數(shù)字化。未來(lái)在半導(dǎo)體芯片方面的需求將會(huì)越來(lái)越大。10月7日，三星集團(tuán)舉辦了三星晶圓代工論壇。在論壇上，三星公布了其代工業(yè)務(wù)未來(lái)的發(fā)展路線。

三星推出全新17LPV工藝

        這次論壇還充當(dāng)了新品發(fā)布會(huì)的功能。三星在論壇上公布了其全新的17LPV工藝。LPV就是Low Power Value的簡(jiǎn)稱，即低功率值。17nm低功率值工藝是在28nm工藝的基礎(chǔ)上，融入了14nm FinFET立體晶體管，并結(jié)合14nm FEOL前端工序和8nm BEOL后端工序，可以稱得上是28nm工藝的進(jìn)階版本。

        17LPV工藝在現(xiàn)有技術(shù)的基礎(chǔ)上進(jìn)行改進(jìn)，盡可能的降低了研發(fā)成本，同時(shí)又保證了性能的提升和能耗的減少。三星在此次論壇上表示，與之前的28nm工藝相比，17LPV工藝可以有效縮小超過(guò)40%的芯片面積，同時(shí)可以將芯片性能提升39%，能耗降低49%。

        三星表示，該17LPV工藝將首先用在自己的CMOS圖像傳感器產(chǎn)品線上，具體來(lái)說(shuō)，是三星自己的ISP圖像信號(hào)處理器。至于什么時(shí)候可以量產(chǎn)，三星此次并沒(méi)有透露。

        三星還透漏了其最新研發(fā)的14nm LPU工藝。LPU是Low Power Ultimate的簡(jiǎn)稱，即終極低功耗。但是三星并未就14nm LPU工藝做過(guò)多的說(shuō)明，外界猜測(cè)可能是在28nm BEOL的基礎(chǔ)上融入了14nm FEOL。

全新3nm工藝將在2022年量產(chǎn)

        為了在代工工藝上追趕臺(tái)積電，三星首次將全新的GAA（Gate-all-around，環(huán)繞柵極）技術(shù)用在了3nm工藝的研發(fā)當(dāng)中?？赡苁茄邪l(fā)進(jìn)度比較順利，三星曾在2021年上半年宣布，3nm GAA工藝已成功流片（Tape Out），并計(jì)劃將3nm工藝的量產(chǎn)時(shí)間提前到2021年下半年。

        但是，在此次論壇上，三星突然表示全新的GAA技術(shù)難度很高，3nm GAA工藝預(yù)計(jì)要推遲到2022年上半年才能量產(chǎn)。3nm GAA工藝還分為高性能版（3GAP）和低功耗版（3GAE），3GAE預(yù)計(jì)在2022年年初量產(chǎn)，3GAP預(yù)計(jì)2023年年初量產(chǎn)。

        相比上一代5nm工藝，三星全新3nm GAA工藝在芯片面積上縮小了35個(gè)百分點(diǎn)，同性能下功耗下降了50個(gè)百分點(diǎn)，同功耗下性能提升了30個(gè)百分點(diǎn)。

首次透漏2nm工藝

        雖然沒(méi)有在技術(shù)路線圖上展示2nm工藝的研發(fā)進(jìn)度，但三星高層還是透漏了2GAP工藝的研發(fā)安排，預(yù)計(jì)在2025年量產(chǎn)。不過(guò)，三星還給這個(gè)時(shí)間加上了限制：具體要看客戶的生產(chǎn)計(jì)劃和安排。

        此前，英特爾高調(diào)宣布進(jìn)軍晶圓代工市場(chǎng)，不過(guò)以英特爾的實(shí)力，追趕臺(tái)積電和三星還有點(diǎn)困難。三星通過(guò)這次論壇，高調(diào)展示其新工藝的研發(fā)量產(chǎn)時(shí)間表，大有和臺(tái)積電爭(zhēng)當(dāng)龍頭老大的意味。不過(guò)，從實(shí)際情況來(lái)看，臺(tái)積電在2nm工藝方面將提前三星一年進(jìn)行量產(chǎn)，三星在晶圓代工業(yè)務(wù)方面追趕臺(tái)積電還有一段路要走。