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       在10月7日舉辦的論壇活動(dòng)上，三星透露其將把3nmGAA制程推遲至明年上半年量產(chǎn)。

       但這之前，在2021年上半年時(shí)三星早已官宣其3nmGAA工藝已成功試生產(chǎn)（試用成功將會(huì)大規(guī)模生產(chǎn)），在前不久，三星也正式宣布將批量生產(chǎn)3GAE和3GAP節(jié)點(diǎn)，這給三星帶來(lái)令人難以想象的能效提升。

       因?yàn)槿钦J(rèn)為采用舊的設(shè)計(jì)所產(chǎn)生的成本會(huì)影響到所得到的收益，甚至收益會(huì)小于成本。所以三星采用了全新的GAA形式，也是三星帶來(lái)令人驚嘆的能效的原因。全新的GAA形式，是三星摒棄了以前使用的納米線形式，而采用多層堆疊的納米線進(jìn)行替代。

       據(jù)悉，三星這一新的工藝可以在保留原有優(yōu)點(diǎn)的情況下，將生產(chǎn)的復(fù)雜難度降低。與此同時(shí)，MBCFET—— FinFET 的升級(jí)版，在保持他原有面積的優(yōu)點(diǎn)上，提升了性能，不僅兼容了以往的技術(shù)，還實(shí)現(xiàn)了設(shè)計(jì)上的遷移。

       并且，三星也提出其宣布的3nmGAA技術(shù)相較于其之前的7nmLPP將會(huì)提高35%的性能和節(jié)省50%的功能損耗，在提高性能的基礎(chǔ)上更加持久。

       根據(jù)先前對(duì)蘋果的報(bào)道，蘋果從臺(tái)積電獲得的最初的3nm芯片供應(yīng)，但似乎生產(chǎn)這種光刻技術(shù)芯片也帶來(lái)了不少技術(shù)層面上的問(wèn)題，因此這使臺(tái)積電不得不再投入到3nm的研究當(dāng)中并推遲批產(chǎn)。

       基于以上的原因，可能是三星也擔(dān)心如果過(guò)早的批產(chǎn)這些節(jié)點(diǎn)可能會(huì)重蹈臺(tái)積電的覆轍，但這一推延反而使得芯片短缺加劇。

       不過(guò)，三星推遲批量生產(chǎn)將給三星更多的準(zhǔn)備時(shí)間，這使三星能夠建立起更加穩(wěn)固的基礎(chǔ)，并在實(shí)驗(yàn)當(dāng)中探索出滿意的答案，在這之后應(yīng)該可以以更快的速度產(chǎn)出更多的晶圓，進(jìn)而緩解芯片短缺的問(wèn)題。

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