中文人妻av久久人妻18,免费看av,偷拍盗摄xxoo,欧美精品不卡一区二区三区四区

歡迎光臨頂點光電子商城!專業(yè)的光電器件與集成電路采購平臺!
您好,請登錄 免費注冊
首頁 > 資訊中心 > 行業(yè)資訊 > 什么是半導體分立器件 國產(chǎn)分立器件的發(fā)展水平如何?
什么是半導體分立器件 國產(chǎn)分立器件的發(fā)展水平如何?

        半導體分立器件是一個統(tǒng)稱,在電子儀器儀表、計算機及相關(guān)設備、汽車電子、工業(yè)及自動化控制和消費電子等領域均有廣泛應用。半導體分立器件的用途主要是在電子電力設備中,充當開關(guān)、混頻、穩(wěn)壓和整流的作用。


1-211029143459332.png


半導體分立器件的分類


        按照制造技術(shù)來分類,半導體分立器件可以分為光電半導體、分立器件、存儲器、邏輯IC和模擬IC等。這些分類其實每一種都是半導體分立器件的一個大分支,下面又可以分為很多小類。


光電半導體


        我們見到的最多的LED就是屬于光電半導體下面的一個小分類。除了LED,光電半導體還包括激光半導體、受光器件、光耦和光通訊器件等。


        LED就是
發(fā)光二極管,由含鎵(Ga)、砷(As)、磷(P)、氮(N)等的化合物制成,原理是通過電子與空穴復合時產(chǎn)生輻射,并發(fā)出可見光。激光半導體又稱為激光二極管(Laser diode,簡稱LD),使用的材料包括砷化鎵(GaAs)、硫化鎘(CdS)、磷化銦(InP)、硫化鋅(ZnS)等。激光二極管和發(fā)光二極管的發(fā)光原理類似,都是由電子與空穴結(jié)合而發(fā)光。不同的是,激光二極管注入的電流首先被集中在寬度從幾μm到10μm左右的窄縫中,電子在這個分為內(nèi)與空穴結(jié)合,然后發(fā)光。


1-211029144431R7.png

USHIO激光二極管


        受光器件其實就是接收光子,并將光子轉(zhuǎn)換為電子的器件。受光器件包括光電二極管、光電晶體管、CCD圖像傳感器和CMOS圖像傳感器等。


        光電二極管(Photo Diode,簡稱PD)就是一個簡單的將光子轉(zhuǎn)換成電子的元器件,可以把它當成一個非常小的光能發(fā)電器來理解。光電晶體管本質(zhì)上和光電二極管是一個東西,只不過光電晶體管在構(gòu)造上會復雜多樣化一些。嚴格來說,光電二極管也可以劃分在光電晶體管下面,例如,光電三極管也屬于光電晶體管的一種。


1-211029144UIQ.png

濱松前照式 CCD 線陣圖像傳感器


        CCD圖像傳感器和CMOS圖像傳感器就不是簡單的光電子轉(zhuǎn)換器件了。CCD圖像傳感器的英文名稱是Charge-coupled Device,學名叫做電荷耦合元件。CCD圖像傳感器不僅可以把光信號轉(zhuǎn)變?yōu)殡娦盘枺€能把電信號轉(zhuǎn)換成數(shù)字信號進行輸出。CCD圖像傳感器上有兩個關(guān)鍵組件,一個是光敏物質(zhì),可以把它叫做像素,像素越多,畫面分辨率越高;另一個是感光電容,可以進行光信號、電信號和數(shù)字信號的轉(zhuǎn)換。兩者相結(jié)合,就能把光信號轉(zhuǎn)換成分辨率很高的數(shù)字信號。


        CMOS圖像傳感器相比CCD圖像傳感器要更高階一些。CMOS圖像傳感器會集成更多的數(shù)字信號處理電路,比如模擬數(shù)字轉(zhuǎn)換器(AD轉(zhuǎn)換器)、白平衡處理、自動曝光量控制和非均勻補償?shù)?。CMOS
圖像傳感器在隨機窗口讀取能力、多窗口跟蹤能力、抗輻射能力和可靠性方面均優(yōu)于CCD圖像傳感器。


1-21102914525c46.png

濱松CMOS線陣圖像傳感器


        光耦又叫做光電耦合器或光電隔離器。通過將發(fā)光器(如發(fā)光二極管)和受光器(如圖像傳感器)封裝在一個管殼內(nèi),當輸入端接入電信號時產(chǎn)生光信號,再通過受光器轉(zhuǎn)換成電信號,實現(xiàn)“電-光-電”的控制。


        輸入的是電信號,輸出的還是電信號,那為什么要多此一舉設計出光耦這種器件呢?這是因為在許多應用環(huán)境中,需要做到電氣隔離、防止原始電信號被干擾和信號放大等要求,所以才誕生了光耦。


分立器件


        從2015年開始,一直到2020年,國產(chǎn)分立器件的產(chǎn)量和銷量就一直增長。截止到2020年,國產(chǎn)分立器件的產(chǎn)量達到了4885億只,相比上一年增長了8個點;銷售額為165.6億元,相比上一年增長了3個點。


        分立器包括二極管、晶體管和晶閘管。其中,晶體管包括雙極晶體管、場效應管(Fidld Effect Transistor,簡稱FET)和絕緣柵雙極晶體管(Insulated Gate Bipolar Transistor,簡稱IGBT);晶閘管包括硅控整流器(Sillicon Controllde Rectifier,簡稱SCR)、柵極光閉晶閘管(Gate Turn off Thyristor,簡稱GTO)和光觸發(fā)晶閘管(Light Triggered Thyristor,簡稱LTT)。


1-21102914304JJ.png


        其中,場效應管(FET)包括結(jié)合型FET和MOSFET。MOSFET是分立器中最重要的一種元器件。2019年,MOSFET的銷售額在整個分立器件中占到了36.3%。


        MOSFET的全稱為金屬-氧化物半導體場效應晶體管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor),被廣泛應用在模擬電路和數(shù)字電路領域。MOSFET的特點是熱穩(wěn)定性好,工作頻率高,輸入抗阻高,開關(guān)速度快,所需驅(qū)動功率小、且驅(qū)動電路非常簡單,并且不存在二次擊穿的問題。


1-211029145620456.png


        近年來,MOSFET的下游產(chǎn)業(yè)發(fā)展非常迅速,直接帶動了MOSFET的需求增長。以銷售額來計算,從2015年到2019年,MOSFET的復合年增長率達到了9.2%,實現(xiàn)銷售額53億美元。MOSFET可謂是分立器件中的一顆夜明珠。


        總體來說,在光電半導體領域,國內(nèi)廠家與國外,特別是日本的差距還是比較明顯的。高質(zhì)量和高性能的光電半導體主要還是國外生產(chǎn)的,國內(nèi)的產(chǎn)品只能以低質(zhì)、低價的方式生存,一些高精尖的設備上,國產(chǎn)器件還是達不到性能要求。在分立器方面,國產(chǎn)器件的規(guī)模在不斷增長,特別是在MOSFET、二極管和三極管產(chǎn)線上。據(jù)預測,到2026年,國產(chǎn)分立器件的產(chǎn)量將突破1.6萬億只,市值將超過500億人民幣。