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電裝推出首款采用SiC功率半導(dǎo)體的逆變器

        近日,日本移動出行供應(yīng)商電裝(DENSO CORPORATION)宣布開發(fā)出首款采用碳化硅(SiC)半導(dǎo)體的逆變器。


        該逆變器集成在由BluE Nexus Corporation開發(fā)的電動驅(qū)動模塊eAxle中,并搭載于雷克薩斯3月30日發(fā)布的首款專用純電動汽車(BEV)的雷克薩斯全新RZ。該逆變器所用的SiC功率半導(dǎo)體采用其專有的溝槽型MOS結(jié)構(gòu),能夠通過減少因散熱導(dǎo)致的功耗問題,提升每顆芯片的輸出功率,而且晶體管能夠?qū)崿F(xiàn)高壓、低導(dǎo)通電阻等性能。


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        值得注意的是,該SiC逆變器的外延片由日本Resonac提供,并聯(lián)合豐田中心研發(fā)實驗室(Toyota Central R&D Labs)共同開發(fā),還結(jié)合了日本國家研發(fā)機構(gòu)NEDO(New Energy and Industrial Technology Development Organization)的研究成果。


         日本電裝將其SiC技術(shù)命名為REVOSIC,2020年12月上市的豐田Mirai便采用了基于REVOSIC技術(shù)的功率晶體管。


         未來,日本電裝計劃依托這項技術(shù)全面開發(fā)從晶圓到半導(dǎo)體器件和模塊(如電源板)的技術(shù)。