近日，有消息稱，鎧俠和西部數(shù)據(jù)計劃在2023年6月舉行的VLSI技術和電路研討會上展示3D NAND技術創(chuàng)新。
鎧俠在即將發(fā)表的C2-1論文種介紹了一種8平面的1Tb 3D TLC NAND，擁有210層的堆疊數(shù)和3.2GT/s的I/O傳速。
這與鎧俠/西數(shù)推出的218層1Tb 3D TLC NAND非常相似，具備17Gb/mm2密度和3.2GT/s I/O總線，但它是8平面而不是4平面，并且據(jù)說可提供205MB/s的吞吐量以及40μs的讀取延遲。
除了研究8平面的3D NAND結(jié)構外，研究人員還將提交關于300層3D NAND的論文（T7-1），文中表示，為實現(xiàn)這一目標，兩家公司計劃采用金屬誘導橫向結(jié)晶(MILC)技術。
通過MILC技術，在超過300層的垂直存儲孔中，形成14微米長的類通心粉硅通道。據(jù)報道，這種實驗性3D NAND還利用尖端的吸鎳方法消除硅材料中的雜質(zhì)和缺陷，從而提高單元陣列性能。
此前，鎧俠和西部數(shù)據(jù)發(fā)布最新3D閃存，218層的3D閃存采用創(chuàng)新的橫向微縮技術，為4平面(Plane)的1Tb三層存儲單元(TLC)和四層存儲單元(QLC)，帶來超過50%的位密度提升。其高速NAND I/O速度超過3.2GB/s，比上一代產(chǎn)品提高了60%，同時在寫入性能和讀延遲方面的改善超過了20%，將加速用戶的整體性能、可用性。
鎧俠是全球存儲器解決方案領導者，致力于開發(fā)、生產(chǎn)和銷售閃存及固態(tài)硬盤(SSD)。東芝公司于1987年發(fā)明了NAND閃存，在2017年4月鎧俠前身東芝存儲器集團從東芝公司剝離。鎧俠致力于通過提供產(chǎn)品、服務和系統(tǒng)，為客戶創(chuàng)造選擇，為社會創(chuàng)造基于存儲器的價值，從而通過存儲器促進社會發(fā)展。鎧俠創(chuàng)新的3D閃存技術BiCS FLASH?，正在塑造諸多高密度應用的未來存儲方式，其中包括高級智能手機、PC、SSD、汽車和數(shù)據(jù)中心等。
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