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           頂點(diǎn)光電子商城7月21日消息：近日，為了推進(jìn)GaN在高頻市場(chǎng)的應(yīng)用，英諾賽科基于150V電壓平臺(tái)推出了 INN150FQ032A 和 INN150FQ070A 兩款中低壓 GaN。

           英諾賽科（Innoscience）是一家專注于寬禁帶半導(dǎo)體材料和器件的研發(fā)和生產(chǎn)的公司。GaN芯片是他們的一項(xiàng)重要產(chǎn)品。

           GaN芯片是基于氮化鎵（Gallium Nitride）材料制造的芯片。相比傳統(tǒng)的硅芯片，GaN芯片具有更高的電子遷移率和更好的熱特性，因此在一些應(yīng)用領(lǐng)域具備更高的性能和效率。

            此次推出的INN150FQ032A 采用 FCQFN 4mmx6mm 封裝，體積小巧，且開(kāi)關(guān)損耗低，具有良好的效率表現(xiàn)，目前已成功量產(chǎn)。INN150FQ070A，采用  FCQFN 4mmX6mm Pin to pin 兼容引腳設(shè)計(jì)，已通過(guò)小批量試產(chǎn)。

            這兩款產(chǎn)品能夠滿足工業(yè)級(jí)可靠性要求，主要應(yīng)用于太陽(yáng)能系統(tǒng)優(yōu)化器和微型逆變器，PD充電器與PSU同步整流、通信電源、電機(jī)驅(qū)動(dòng)和高頻DC-DC轉(zhuǎn)換器等。

           近年來(lái)，英諾賽科的GaN（氮化鎵）芯片在各個(gè)領(lǐng)域都取得了顯著的發(fā)展。

           在能源轉(zhuǎn)換領(lǐng)域，英諾賽科的GaN芯片在能源轉(zhuǎn)換領(lǐng)域取得了重大突破。他們的GaN功率器件提供了高效、高密度的能源轉(zhuǎn)換解決方案，廣泛應(yīng)用于電動(dòng)車(chē)輛、太陽(yáng)能逆變器、數(shù)據(jù)中心和工業(yè)電源等領(lǐng)域。這些芯片具有更高的開(kāi)關(guān)速度和更低的能耗，提高了系統(tǒng)的效率和可靠性。

          在通信領(lǐng)域英諾賽科的GaN芯片在通信領(lǐng)域也取得了重要的進(jìn)展。他們開(kāi)發(fā)了高頻率、高功率的GaN射頻功率放大器，用于無(wú)線通信、衛(wèi)星通信和雷達(dá)系統(tǒng)等領(lǐng)域。這些芯片提供了更大的輸出功率和更高的效率，為通信設(shè)備的高速數(shù)據(jù)傳輸和通信質(zhì)量提供了支持。

          在LED照明領(lǐng)域，英諾賽科的GaN芯片在LED照明領(lǐng)域也有了重要的發(fā)展。他們的GaN-LED芯片具有更高的亮度和更大的能效，使LED照明產(chǎn)品更節(jié)能、更環(huán)保。英諾賽科的GaN-LED芯片已經(jīng)在室內(nèi)和室外照明應(yīng)用中得到廣泛采用。

          在新興領(lǐng)域應(yīng)用，除了上述領(lǐng)域，英諾賽科的GaN芯片還在其他新興領(lǐng)域得到了應(yīng)用。例如，無(wú)線充電器、高速數(shù)據(jù)中心、醫(yī)療設(shè)備等領(lǐng)域都可以受益于GaN芯片的高效能和高速性能。

           總體而言，英諾賽科的GaN芯片在過(guò)去幾年中經(jīng)歷了快速的發(fā)展和創(chuàng)新，不斷推動(dòng)各個(gè)行業(yè)的技術(shù)進(jìn)步和能源效率的提升。隨著技術(shù)的不斷成熟和應(yīng)用的擴(kuò)大，預(yù)計(jì)GaN芯片將繼續(xù)在未來(lái)發(fā)揮重要的作用。