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         頂點(diǎn)光電子商城2024年6月17日消息：近日，純化合物半導(dǎo)體代工廠穩(wěn)懋半導(dǎo)體（WIN Semiconductors Corp）宣布，公司擴(kuò)大了其RF GaN技術(shù)組合，推出了基于碳化硅（SiC）的毫米波氮化鎵（GaN）技術(shù)測(cè)試版NP12-0B平臺(tái)。

          NP12-0B平臺(tái)的核心是0.12μm柵極RF GaN HEMT技術(shù)，該技術(shù)結(jié)合了多項(xiàng)改進(jìn)，以增強(qiáng)直流和射頻的耐用性，并增加芯片級(jí)防潮性。

          NP12-0B集成了多項(xiàng)晶體管改進(jìn)，在深度飽和/高壓縮脈沖和連續(xù)波條件下運(yùn)行時(shí)具備高耐用性。這種新的耐用技術(shù)通過(guò)消除在GaN HEMT功率放大器中觀察到的脈沖下降現(xiàn)象，從而提高了脈沖模式雷達(dá)系統(tǒng)的范圍和靈敏度。

            NP12-0B還提供增強(qiáng)型防潮性選項(xiàng)，在塑料封裝中使用時(shí)具有出色的耐濕性。

             NP12-0B平臺(tái)支持全MMIC，允許客戶開(kāi)發(fā)適用于50GHz以下應(yīng)用的緊湊型脈沖或CW飽和功率放大器。該工藝適用于28V工作電壓，在29GHz頻段可產(chǎn)生4.5 W/mm的飽和輸出功率，線性增益為12 dB，功率附加效率超過(guò)40%。該技術(shù)非常適合用于先進(jìn)雷達(dá)系統(tǒng)的堅(jiān)固型脈沖模式高功率放大器。

            NP12-0B鑒定測(cè)試已經(jīng)完成，最終建模/PDK生成預(yù)計(jì)將于2024年8月完成，并計(jì)劃于2024年第三季度末發(fā)布完整的生產(chǎn)版本。

            隨著對(duì)功率效率、可靠性和空間優(yōu)化的關(guān)注增加，RF GaN技術(shù)正在成為各種應(yīng)用的標(biāo)準(zhǔn)，特別是在電信基礎(chǔ)設(shè)施和衛(wèi)星通信領(lǐng)域。

            穩(wěn)懋半導(dǎo)體此次推出的RF GaN技術(shù)，不僅體現(xiàn)了公司在半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)域的深厚實(shí)力，也為行業(yè)內(nèi)的技術(shù)發(fā)展和應(yīng)用提供了新的可能性。