頂點光電子商城2024年10月30日消息：近日，德國半導(dǎo)體巨頭英飛凌（Infineon）宣布了一項重大技術(shù)突破，成功推出全球最薄的硅功率晶圓。這款晶圓的直徑為30mm，厚度僅為20微米（μm），相當(dāng)于一根頭發(fā)絲的四分之一，是目前市場上主流40至60μm厚度晶圓的一半。這一創(chuàng)新不僅標(biāo)志著英飛凌在半導(dǎo)體制造技術(shù)方面的領(lǐng)先地位，更為功率半導(dǎo)體的發(fā)展開辟了新的紀(jì)元。
英飛凌成為首家掌握20μm超薄功率半導(dǎo)體晶圓處理和加工技術(shù)的公司。為了實現(xiàn)這一技術(shù)突破，英飛凌的工程師們必須克服諸多技術(shù)障礙，包括晶圓翹曲度、晶圓分離以及將芯片固定在晶圓上的金屬疊層厚度大于晶圓本身厚度的問題。為此，英飛凌建立了一種創(chuàng)新而獨特的晶圓研磨方法，并優(yōu)化了后端裝配工藝，以確保晶圓的穩(wěn)定性和一流穩(wěn)健性。
新型超薄晶圓技術(shù)的核心優(yōu)勢在于其能效的顯著提升。通過降低晶圓厚度，基板電阻減半，進(jìn)而使得功率系統(tǒng)中的功率損耗減少了15%以上。這一改進(jìn)在當(dāng)前AI與深度學(xué)習(xí)應(yīng)用不斷增加的時代尤為重要。英飛凌的新技術(shù)能夠?qū)㈦妷簭?30V降低到1.8V以下，這對于處理器能效的提升至關(guān)重要。此外，基于垂直溝槽MOSFET技術(shù)的設(shè)計不僅提高了功率傳輸?shù)男?，還能在減少功率損耗的同時實現(xiàn)與AI芯片的高度緊密連接，從而更好地滿足高端市場對能效的需求。
英飛凌的這款超薄晶圓技術(shù)已被整合進(jìn)其集成智能功率級產(chǎn)品中，并成功交付給首批客戶。這一技術(shù)的應(yīng)用范圍十分廣泛，包括但不限于直流-直流轉(zhuǎn)換器、消費電子、工業(yè)設(shè)備、電動汽車以及可再生能源系統(tǒng)等領(lǐng)域。在電動汽車充電樁、智能家居設(shè)備以及綠色能源項目中，這種超薄晶圓將發(fā)揮重要作用。預(yù)計在未來三至四年內(nèi)，現(xiàn)有的傳統(tǒng)晶圓技術(shù)將逐步被這種超薄晶圓技術(shù)所取代，尤其在低壓功率轉(zhuǎn)換器領(lǐng)域。
英飛凌的這項技術(shù)創(chuàng)新不僅深刻影響了現(xiàn)代電子設(shè)備的設(shè)計與使用方式，更對整個行業(yè)的競爭格局產(chǎn)生了深遠(yuǎn)的影響。隨著這一技術(shù)的推廣與普及，各行業(yè)都可能迎來一次大的變革。在保障效率、可持續(xù)發(fā)展的同時，也為消費者帶來了更為優(yōu)質(zhì)的產(chǎn)品體驗。此外，英飛凌技術(shù)的成熟也意味著更多企業(yè)將能夠以低成本、高效率的方式進(jìn)入市場，刺激整個行業(yè)的創(chuàng)新發(fā)展。
總之，英飛凌推出的全球最薄硅功率晶圓不僅是半導(dǎo)體制造技術(shù)的一次飛躍，更是智能、綠色科技發(fā)展的重要推動力。這一創(chuàng)新將深刻影響未來能源系統(tǒng)的發(fā)展，助力全球可持續(xù)發(fā)展的目標(biāo)實現(xiàn)。
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