頂點光電子商城2024年11月13日消息：近日，北京天科合達半導(dǎo)體股份有限公司（以下簡稱“天科合達”）宣布其“第三代半導(dǎo)體碳化硅襯底產(chǎn)業(yè)化基地建設(shè)二期項目”在北京正式開工。這一項目的啟動標(biāo)志著天科合達在碳化硅材料領(lǐng)域邁出了重要的一步，旨在擴大其碳化硅晶體與晶片的產(chǎn)能，并推動碳化硅技術(shù)的進一步發(fā)展。
碳化硅（SiC）作為第三代半導(dǎo)體材料的代表，具有優(yōu)異的電學(xué)和熱學(xué)性能，在電動汽車、軌道交通、高壓輸變電、光伏、5G通訊等領(lǐng)域有著廣泛的應(yīng)用前景。隨著全球?qū)Ω咝茈娮酉到y(tǒng)的需求不斷增長，碳化硅材料的市場需求也在持續(xù)增加。因此，擴大碳化硅襯底的產(chǎn)能，提高生產(chǎn)效率，降低成本，對于推動碳化硅技術(shù)的廣泛應(yīng)用具有重要意義。
天科合達作為國內(nèi)領(lǐng)先的碳化硅材料供應(yīng)商，積極響應(yīng)國家戰(zhàn)略需求，專注于第三代半導(dǎo)體材料的創(chuàng)新研發(fā)及量產(chǎn)工作。此次二期項目的開工，不僅將推動公司在碳化硅襯底材料領(lǐng)域的技術(shù)進步和產(chǎn)能擴張，還能通過優(yōu)化生產(chǎn)流程和提高效率，有效降低成本，為國產(chǎn)碳化硅材料在功率器件、微波射頻器件等領(lǐng)域的應(yīng)用奠定堅實基礎(chǔ)。
該二期項目位于北京市大興區(qū)大興新城東南片區(qū)，總占地面積52790.032平方米，總建筑面積105913.29平方米。項目包括生產(chǎn)廠房、化學(xué)品庫、危廢庫、一般固廢庫、綜合樓、門衛(wèi)等設(shè)施，用于擴大天科合達碳化硅晶體與晶片的產(chǎn)能，并建設(shè)研發(fā)中心以持續(xù)優(yōu)化和完善生產(chǎn)工藝和參數(shù)。
投產(chǎn)后，該項目將實現(xiàn)年產(chǎn)約37.1萬片導(dǎo)電型碳化硅襯底，其中6英寸導(dǎo)電型碳化硅襯底23.6萬片，8英寸導(dǎo)電型碳化硅襯底13.5萬片。這將有助于天科合達進一步鞏固其在碳化硅材料市場的領(lǐng)先地位，并滿足國內(nèi)外市場對高質(zhì)量碳化硅襯底的需求。
目前，全球碳化硅產(chǎn)業(yè)呈現(xiàn)美、歐、日三足鼎立的局面，受下游應(yīng)用需求推動，碳化硅邁入加速發(fā)展期。8英寸碳化硅成為各方攻略的新堡壘，憑借成本等綜合優(yōu)勢，市場對8英寸碳化硅的部署步伐不停。
天科合達作為國內(nèi)少數(shù)能夠進入國際知名企業(yè)的高端技術(shù)產(chǎn)品供應(yīng)商，其產(chǎn)品已暢銷至日本及歐美在內(nèi)的20多個國家和地區(qū)。此次二期項目的開工，將進一步提升公司的產(chǎn)能和競爭力，有助于公司在全球碳化硅市場中占據(jù)更大的份額。
同時，天科合達也面臨著來自國內(nèi)外競爭對手的挑戰(zhàn)。英飛凌、意法半導(dǎo)體、安森美等國際大廠持續(xù)布局碳化硅產(chǎn)能，穩(wěn)固其市場地位；而國內(nèi)企業(yè)如三安光電、天岳先進等也在積極擴大碳化硅襯底的產(chǎn)能。因此，天科合達需要不斷創(chuàng)新和優(yōu)化生產(chǎn)工藝，以提高產(chǎn)品質(zhì)量和降低成本，從而在激烈的市場競爭中保持領(lǐng)先地位。
隨著北京二期項目的啟動，天科合達將開啟嶄新的發(fā)展篇章。該項目不僅將推動公司在碳化硅襯底材料領(lǐng)域的技術(shù)進步和產(chǎn)能擴張，還能通過優(yōu)化生產(chǎn)流程和提高效率，有效降低成本。未來，天科合達將繼續(xù)專注于碳化硅材料的研發(fā)和生產(chǎn)，推動碳化硅技術(shù)的廣泛應(yīng)用和發(fā)展。
同時，天科合達也將積極參與國內(nèi)外碳化硅產(chǎn)業(yè)的合作與交流，加強與國際知名企業(yè)的合作與競爭，共同推動全球碳化硅產(chǎn)業(yè)的進步和發(fā)展。相信在不久的將來，天科合達將成為全球碳化硅材料領(lǐng)域的領(lǐng)軍企業(yè)之一。
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